Samsung планирует начать массовое производство памяти CXL DRAM, чтобы как можно больше заработать на популярности ИИ
В то время как компания SK Hynix уже плотно закрепилась на рынке микросхем с высокой пропускной способностью благодаря высокоскоростной памяти HBM, Samsung планирует использовать CXL DRAM для удовлетворения растущего спроса на высокопроизводительные модули памяти, необходимые для искусственного интеллекта.
Samsung активно развивает память CXL DRAM, чтобы воспользоваться растущим спросом на высокопроизводительные модули. Компания уже более 10 лет занимается разработкой CXL и в 2021 году представила первую модель CXL DRAM, а в 2022 году выпустила первый в мире чип CXL DRAM емкостью 512 ГБ.
Вице-президент Samsung ЧангСок Чой сообщил, что массовое производство памяти DRAM 256 ГБ, совместимой с CXL 2.0, начнется в конце этого года. Ожидается, что рынок CXL будет стремительно развиваться во второй половине этого года и достигнет своего пика к 2028 году.
CXL (computer express link) повышает эффективность DRAM и других модулей хранения данных при использовании на высокопроизводительных серверах, что позволяет значительно увеличить объем памяти и пропускную способность. Это особенно важно для искусственного интеллекта и машинного обучения, требующих огромной мощности обработки данных. Samsung стремится не упустить возможность и занять лидирующие позиции в этой быстрорастущей отрасли.
