Samsung начинает массовое производство новой памяти QLC V-NAND 9-го поколения
Samsung стала первой компанией в индустрии памяти, запустившей массовое производство Quad-Level Cell (QLC) V-NAND 9-го поколения. Технологический гигант впервые анонсировал новую память V9 QLC в августе, а на этой неделе подтвердил, что новые технологии уже на конвейерах.
Новая память стала доступна для массового производства всего через несколько месяцев после запуска трехуровневой ячейки (TLC) 9-го поколения. Samsung начала производить TLC V-NAND в апреле, а теперь запускает новые QLC технологии. Это поможет ей стать лидером на рынке флэш-памяти с большой емкостью и высокой скоростью.
QLC V-NAND 9-го поколения отличается увеличением плотности битов на 86% по сравнению с предыдущей версией V7 QLC. Она обеспечивает скорость ввода-вывода до 3,2 ГБ/с и поддерживает буферизацию SLC/TLC.
Samsung использует новую технологию Designed Mold для улучшения интервалов между клетками памяти, что обеспечивает их устойчивость и повышает эффективность.
Технология Channel Hole Etching позволяет создавать наибольшее количество слоев памяти, а Predictive Program контролирует изменения в клетках, чтобы снизить ошибки.
С новым QLC V-NAND 9-го поколения Samsung обещает обеспечить усовершенствованные решения SSD, отвечающие потребностям эпохи искусственного интеллекта.
