Snapdragon 8 Elite покажет значительный прогресс в производительности

Если верить многочисленным слухам, новый чип Snapdragon 8 Elite от Qualcomm покажет приличный прирост мощности в сравнении с предшественником. В недавних тестах чип показал поразительные результаты в тестах производительности, но столкнулся с проблемами перегрева и высоким энергопотреблением.

Сообщается, что существует две версии чипа: одна с максимальной рабочей частотой 4,09 ГГц, а другая - разогнана до 4,32 ГГц. В Geekbench разогнанная версия чипа показала 3216 баллов в одноядерном и 10051 балл в многоядерном тестах. Этот результат лучше на 35% в одноядерной производительности и на 30% в многоядерной по сравнению с предыдущими поколениями. Графический процессор Adreno 830 также продемонстрировал высокие результаты, поддерживая 4K разрешение на частоте 144 Гц.

Однако разогнанный Snapdragon 8 Elite потребляет более 20 Вт энергии, что приводит к нагреву до 98,5 °C. Это вызывает опасения по поводу терморегулирования и времени автономной работы устройств. Производители, такие как OnePlus и Xiaomi, планируют использовать емкие батареи и активное охлаждение для решения этих проблем... впрочем, этого может быть недостаточно для стабильной работы гаджетов.

Ожидается, что чип будет официально представлен на саммите Snapdragon с 21 по 24 октября.