Бывший инженер Samsung приговорен к семи годам тюрьмы за передачу DRAM-технологий китайской компании CXMT
Суд в Сеуле приговорил бывшего инженера Samsung Чона Мо к семи годам лишения свободы за нарушение южнокорейского законодательства о защите промышленных технологий. Как установило следствие, он похитил критически важную интеллектуальную собственность, связанную с производством памяти DRAM, и передал ее китайской компании CXMT.
За шесть лет шпионской деятельности мужчина получил 2,9 миллиарда вон (примерно 2 миллиона долларов США), включая бонусы за контракт и опционы на акции. Это не единственный случай: в феврале 2025 года сообщник Чона Мо, Ким Мо, ранее занимавший руководящую должность в Samsung Electronics, также был приговорен к семи годам тюрьмы за передачу информации о 18-нанометровой технологии DRAM.
Следствие полагает, что к утечке могли быть причастны и другие бывшие топ-менеджеры и сотрудники Samsung, которым также предъявлены обвинения. Прокуроры заявляют, что один из фигурантов передал сотни этапов производственного процесса, а затем проверил и скорректировал эти данные. По их словам, именно это помогло Китаю наладить первое массовое производство DRAM в 2023 году.
Известно, что CXMT использовала подставную компанию для привлечения и найма бывших сотрудников Samsung. Эти случаи подтверждают ранее звучавшие заявления о том, что технологические достижения китайской компании в сфере DRAM частично основаны на украденной интеллектуальной собственности Samsung и других производителей.
