Samsung разработала энергоэффективную флэш-память NAND нового поколения
Компания Samsung сообщила о создании инновационного типа флэш-памяти NAND, демонстрирующего снижение энергопотребления на 96% по сравнению с традиционными решениями. Разработка основана на применении ферроэлектрических транзисторов, что позволило достичь рекордных показателей энергоэффективности.
Научная статья, описывающая новую технологию, была опубликована в авторитетном журнале Nature под названием "Ферроэлектрический транзистор для энергоэффективной флэш-памяти NAND". В числе соавторов исследования указаны 34 специалиста из Института передовых технологий Samsung (SAIT).
Первоначальные исследования были сосредоточены на оксидных полупроводниках, которые ранее считались малопригодными для высокопроизводительных чипов из-за повышенного порогового напряжения. Однако именно эта характеристика оказалась ключевой для снижения энергопотребления при одновременном увеличении количества слоев и общей емкости памяти.
В традиционной структуре NAND данные хранятся в последовательно соединенных ячейках. С увеличением количества ячеек растет энергопотребление, отчасти из-за токов утечки, сохраняющихся даже после деактивации ячейки. Кроме того, наращивание высоты слоев приводит к дополнительным энергозатратам при операциях чтения и записи. Новая технология позволяет блокировать токи ниже порогового напряжения, что значительно снижает утечки и повышает общую энергоэффективность.
Данная разработка направлена на решение проблемы растущего энергопотребления в условиях постоянно увеличивающихся потребностей в памяти для смартфонов, центров обработки данных искусственного интеллекта и других технологических применений. В публикации отмечается, что технология может стать важным шагом для всей отрасли, однако сроки ее коммерциализации пока не определены.
Подчеркивается, что после запуска новой NAND-памяти в массовое производство ее значительные преимущества в энергоэффективности станут ощутимы для всех категорий потребителей.
